Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3068
Title: | Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения |
Authors: | Градобоев, Александр Васильевич Скаков, М. К. Полицинский, Евгений Валерьевич Аубакирова, Д. М. |
Keywords: | импульсное лазерное излучение; светоизлучающие диоды; эпитаксиальные слои; GaAs; контакт металл-полупроводник; диоды; лазерное излучение; результаты исследований |
Issue Date: | 2010 |
Publisher: | Томский политехнический университет |
Citation: | Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения / А. В. Градобоев [и др.] // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2010. — Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика. — [С. 125-129]. |
Abstract: | Представлены результаты исследования стойкости серийных светоизлучающих диодов ИК-диапазона на основе эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Si, к воздействию одиночных импульсов лазерного излучения с длиной волны 1,06 мкм и длительностью 100 нс, 10 мкс и 1 мс. Показано, что деградация мощности излучения диодов обусловлена проплавлением контакта металл-полупроводник, при этом их стойкость сильно зависит от направления воздействия лазерного излучения. Установлено несколько пороговых значений плотности мощности лазерного излучения: плотность мощности, ниже которой отсутствует деградация диодов, а выше которой наблюдается деградация диодов; плотность мощности, при которой наблюдается полное проплавление контакта металл-полупроводник и плотность мощности, при которой происходит механическое разрушение диодов по плоскости кристалл-кристаллодержатель. Показано, что диаграмма направленности излучения диодов позволяет определить пороговые значения плотности мощности лазерного излучения, падающего под углом к оптической оси диода. Установлено, что режим питания диода не влияет на установленные пороговые плотности мощности лазерного излучения. |
URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3068 |
ISSN: | 1684-8519 |
Appears in Collections: | Известия Томского политехнического университета. Инжиниринг георесурсов |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
bulletin_tpu-2010-316-2-26.pdf | 109,14 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.