Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3126
Название: Критическая (взрывная) электронная эмиссия из диэлектриков, индуцированная инжекцией плотного пучка электронов
Авторы: Твердохлебов, Сергей Иванович
Тухфатуллин, Тимур Ахатович
Ключевые слова: электронная эмиссия; диэлектрики; пучки электронов; инжекция; эксперименты; расчеты
Дата публикации: 2000
Издатель: Томский политехнический университет
Библиографическое описание: Твердохлебов С. И. Критическая (взрывная) электронная эмиссия из диэлектриков, индуцированная инжекцией плотного пучка электронов / С. И. Твердохлебов, Т. А. Тухфатуллин // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2000. — Т. 303, вып. 3. — [С. 32-50].
Аннотация: Полевая электронная эмиссия из диэлектрика в вакуум является одним из каналов релаксации заряда, инжектированного в образец. Для инжекции отрицательного электрического заряда в диэлектрические материалы (монокристаллы, стекла, композиты, пластики) применены импульсные электронные пучки высокой плотности тока и наносекундной длительности. Показано, что при достижении критической величины электрического поля в объеме и на поверхности диэлектрика возникает мощная критическая электронная эмиссия. Локальная плотность тока из эмиссионных центров достигает рекордной для диэлектриков величины порядка 106 А/см2. Эмиссия возникает в форме гигантского моноимпульса. Измеренная амплитуда среднего по эмиттирующей поверхности эмиссионного тока одного порядка с током инжектированного пучка электронов: 10-1000 А. Импульс тока эмиссии отстает от импульса тока первичного электронного пучка, инжектированного в образец. Время задержки лежит в интервале 1-20 не и убывает с ростом плотности тока инжектированного пучка Получено прямое экспериментальное доказательство интенсивной генерации носителей тока - зонных или квазисвободных электронов - в приповерхностном слое диэлектрика в сильном электрическом поле благодаря эффектам Пула - Френкеля и ударной ионизации ловушек, прежде всего разнообразных донорных уровней. Этот процесс приводит к гигантскому усилению автоэлектронной эмиссии из диэлектрика. Экспериментально показано, что эмиссия неоднородна и сопровождается «точечными взрывами» на поверхности диэлектрика, выбросами ионной плазмы в вакуумный промежуток и разрушением диэлектрика. Выбросы ионной плазмы являются главной причиной перехода автоэлектронной эмиссий во «взрывную» критическую, подобную той, которая ранее наблюдалась на металлах и полупроводниках. Однако имеется ряд существенных отличий. Например, критическая плотность тока автоэлектронной эмиссии, необходимая для перехода во «взрывную», на три порядка меньше, чем для металлов. Если обеспечить достаточный электронный ток по поверхности или из объема диэлектрика к эмиссионным центрам, то критическая эмиссия всегда сопровождается вакуумным разрядом между поверхностью диэлектрика и металлическим коллектором. Разработана подробная компьютерная модель процессов в диэлектрике при инжекции электронного пучка высокой плотности, которая позволила прояснить сложную физическую картину явления.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3126
Располагается в коллекциях:Известия ТПУ

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
bulletin_tpu-2000-303-3-04.pdf9,54 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.