Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/35902
Название: The influence of ion irradiation on the properties of ceramic silicon carbide
Авторы: Kabyshev, Alexander Vasilievich
Konusov, Fedor Valerievich
Pavlov, Sergey Konstantinovich
Remnev, Gennady Efimovich
Ключевые слова: ионное облучение; карбид кремния; проводимость; оптическое поглощение; локализованные состояния; ионные пучки; импульсные пучки; ионная имплантация; ion implantation; high-intense pulsed ion beams; localized states; optical absorbtion; conduction; silicon carbide
Дата публикации: 2016
Библиографическое описание: The influence of ion irradiation on the properties of ceramic silicon carbide / A. V. Kabyshev [et al.] // Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016) : International Congress, October 2–7, 2016, Tomsk, Russia : abstracts. — Tomsk : TPU Publishing House, 2016. — [P. 438].
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/35902
Располагается в коллекциях:Материалы конференций

Файлы этого ресурса:
Файл РазмерФормат 
conference_tpu-2016-C117_p439.pdf208 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.