Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36141
Название: Channeling of Relativistic Electrons in Half-Wave Silicon Crystal and Corresponding Radiation
Авторы: Takabayashi, Yushi
Bagrov, Vladislav Gavrilovich
Bogdanov, Oleg Viktorovich
Pivovarov, Yuriy Leonidovich
Tukhfatullin, Timur Ahatovich
Ключевые слова: каналирование; релятивистские электроны; излучения; кремний; кристаллы
Дата публикации: 2015
Издатель: Томский политехнический университет
Библиографическое описание: Channeling of Relativistic Electrons in Half-Wave Silicon Crystal and Corresponding Radiation / Y. Takabayashi [et al.] // Journal of Physics. — 2015. — Vol. 635. — [062007, 2 p.].
Аннотация: The new experiments on channeling of 255 MeV in a 0.7 ?m silicon half-wavelength crystal were performed at SAGA LS facility. Both experimental and simulated electron angular distribution after the crystal and corresponding radiation spectra reveal the number of peculiarities.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36141
Располагается в коллекциях:Препринты научных публикаций

Файлы этого ресурса:
Файл РазмерФормат 
reprint-nw-10475.pdf317,21 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.