Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36499| Title: | Фотолюминесценция полупроводниковых гетероструктур ALGAN / INGAN / GANс возбуждением импульсной Хе-лампой |
| Authors: | Сычева, А. В. Сысоева, С. Г. |
| metadata.dc.contributor.advisor: | Олешко, Владимир Иванович |
| Keywords: | электронные ресурсы; светоизлучающие диоды; полупроводниковые гетероструктуры; сапфиры; микроскопия; атомно-силовая микроскопия; просвечивающая электронная микроскопия |
| Issue Date: | 2016 |
| Citation: | Сычева А. В. Фотолюминесценция полупроводниковых гетероструктур ALGAN / INGAN / GANс возбуждением импульсной Хе-лампой / А. В. Сычева, С. Г. Сысоева ; науч. рук. В. И. Олешко // Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016) : сборник научных трудов V Международной научно-технической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов, г. Томск, 5–7 декабря 2016 г. — Томск : STT, 2016. — [С. 245-246]. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36499 |
| Appears in Collections: | Материалы конференций |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| conference_tpu-2016-C17_p245-246.pdf | 274,93 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.