Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/39591
Название: | Влияние подслоя углерода и титана на свойства структуры AlN/Si и её сорбцию водорода |
Авторы: | Инь Шаньшань |
Научный руководитель: | Никитенков, Николай Николаевич |
Ключевые слова: | кремний (100); имплантация; подслой углерода и титана,; покрытие нитрида алюминия; наводороживание; сорбция водорода; silicon (100); implantation; carbon and titanium sublayers; aluminum nitride; hydrogenation; hydrogen sorption |
Дата публикации: | 2017 |
Библиографическое описание: | Инь Шаньшань Влияние подслоя углерода и титана на свойства структуры AlN/Si и её сорбцию водорода : бакалаврская работа / Инь Шаньшань ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Институт социально-гуманитарных технологий (ИСГТ), Кафедра междисциплинарная (МД) ; Физико-технический институт (ФТИ ТПУ) ; Кафедра общей физики (ОФ) ; науч. рук. Н. Н. Никитенков. — Томск, 2017. |
Аннотация: | Объектом исследования являлись тонкоплёночные системы нитрида алюминия (AlN) на кремнии КЭФ (100), используемые для создания водородных датчиков. До магнетронного напыления AlN кремний был имплантирован углеродом и титаном (AlN/Si, AlN/C/Si, AlN/Ti/Si). Исследовались химический состав, вольтамперные характеристики поверхности и оптическая микроскопия поверхности. На заключительно этапе полученные системы были насыщены водородом методом Сиверста. После насыщения водородом измерены и проанализированы концентрации водорода и спектры термогазовыделения водорода. Из полученных результатов сделано заключение: создание подслоя углерода при производстве датчиков водорода на основе пленки AlN приведёт к значительному увеличению времени эксплуатации этих датчиков без ухудшения их характеристик. The object of study were thin-film systems aluminum nitride (AlN) on silicon Si(100), which are used to make hydrogen sensors. Before magnetron deposition AlN, carbon and titanium were implanted onto silicon (AlN/Si, AlN/C/Si, AlN/Ti/Si). The chemical composition, current-voltage characteristics and optical microscopy of surface were investigated. Subsequently samples were permeated with hydrogen using Seavert method. After hydrogenation, the concentrations of hydrogen were measured and thermo-gassing spectra of hydrogen were analyzed. According to results the following conclusion can be drawn: addition of a carbon sublayer at manufacture of hydrogen sensors with AlN layer will lead to a significant increase in operating time of these sensors without degradation of their characteristics. |
URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/39591 |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы (ВКР) |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
TPU383975.pdf | 2,46 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.