Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/44171
Название: Теоретическое исследование электронной структуры и влияния внешнего давления на электронные свойства соединений AIIMg2Bi2 (AII = Mg, Ca, Sr, Ba)
Другие названия: Theoretical investigation of electronic band structure and external pressure effect on electronic properties of AIIMg2Bi2 (AII = Mg, Ca, Sr, Ba)
Авторы: Петров, Е. К.
Научный руководитель: Кузнецов, В. М.
Ключевые слова: топологические изоляторы; электронные приборы; топологические свойства; деформации; кристаллические решетки
Дата публикации: 2017
Издатель: Изд-во ТПУ
Библиографическое описание: Петров Е. К. Теоретическое исследование электронной структуры и влияния внешнего давления на электронные свойства соединений AIIMg2Bi2 (AII = Mg, Ca, Sr, Ba) / Е. К. Петров ; науч. рук. В. М. Кузнецов // Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г. : в 7 т. — Томск : Изд-во ТПУ, 2017. — Т. 1 : Физика. — [С. 276-278].
Аннотация: The results of theoretical investigation of electronic band structure and topological properties of AIIMg2Bi2 (AII = Mg, Ca, Sr, Ba) using exact exchange are presented. It was found that Mg3Bi2 in its equilibrium state is a semimetal, and the other three compounds are direct band gap semiconductors. Also uniaxial strain of ternary compounds is predicted to lead to transitions to topologically non-trivial phases, such as topological insulator, topological and Dirac semimetal. Due to such wide range of topologically non-trivial phases these compounds may be interesting for further theoretical and experimental studies.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/44171
Располагается в коллекциях:Материалы конференций

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
conference_tpu-2017-C21_V1_p276-278.pdf930,72 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.