Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/50907
Title: Электронная структура интерметаллидов на основе редкоземельного элемента и переходного или благородного металла
Other Titles: Electronic structure of intermetallics based on a rare earth element and a transition or noble metal
Authors: Вязовская, А. Ю.
metadata.dc.contributor.advisor: Отроков, М. М.
Keywords: электронные структуры; редкоземельные элементы; переходные металлы; благородные металлы; поверхностные состояния
Issue Date: 2018
Publisher: Издательский Дом Томского государственного университета
Citation: Вязовская А. Ю. Электронная структура интерметаллидов на основе редкоземельного элемента и переходного или благородного металла / А. Ю. Вязовская ; науч. рук. М. М. Отроков // Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 24-27 апреля 2018 г. : в 7 т. — Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2018. — Т. 1 : Физика. — [С. 84-86].
Abstract: The results of ab initio study of resonant surface states genesis in the vicinity of Γ point for GdRh[2]Si[2] are presented in this work. Our electronic band structure calculations have shown that the resonant surface states are already formed in three atomic layer slab Si-Rh-Si. The states localization within three layer slab causes its resonant nature and presence of these states on Si- and Gd- termination surfaces.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/50907
Appears in Collections:Материалы конференций

Files in This Item:
File SizeFormat 
conference_tpu-2018-C21_V1_p84-86.pdf751,22 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.