Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/54164
Title: Взаимодействие между светом и веществом в двумерных материалах
Authors: Ма, Бин -
metadata.dc.contributor.advisor: Шеремет, Евгения Сергеевна
Keywords: двумерные материалы; спектроскопия комбинационного рассеяния; восстановленный оксид графен; гибкие схемы; атомно-силовая микроскопия тока растекания; лазерная обработка; степень восстановления восстановленного оксида графена; two-dimensional materials; Raman spectroscopy; reduced graphene oxide; flexible circuits; current sensing atomic force microscopy; laser processing; degree of reduction o graphene oxide
Issue Date: 2019
Citation: Ма Б. Взаимодействие между светом и веществом в двумерных материалах : магистерская диссертация / Б. Ма ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Инженерная школа новых производственных технологий (ИШНПТ), Отделение материаловедения (ОМ) ; науч. рук. Е. С. Шеремет. — Томск, 2019.
Abstract: Оксид графена-двумерный материал. На основе восстановленного оксида графена были разработаны различные датчики и электроды поскольку технология отличается простотой и низкой стоимостью. С другой стороны, мы также можем контролировать проводимость материала и химические свойства поверхности изменяя степень восстановления. Спектроскопия комбинационного рассеяния-это быстрый, удобный и простой в использовании инструмент для анализа оксида графена, графита, алмазов. В графене моды второго порядка используются для анализа количества слоев, степени легирования и т.д.
Graphene oxide is a two-dimensional material. Based on the reduced graphene oxide, various sensors and electrodes have been developed since the technology is simple and low cost. On the other hand, we can also control the conductivity of the material and the chemical properties of the surface by changing the degree of reduction. Raman spectroscopy is a fast, convenient and easy-to-use tool for analyzing graphene oxide, graphite, and diamonds. In graphene, second-order modes are used to analyze the number of layers, the degree of doping, etc.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/54164
Appears in Collections:Магистерские диссертации

Files in This Item:
File SizeFormat 
TPU719408.pdf2,09 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.