Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/54205
Title: Диагностика и контроль светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN - квантовых ям с возбуждением высокоэнергетическим сильноточным электронным пучком
Authors: Ли, Цзысюань
metadata.dc.contributor.advisor: Олешко, Владимир Иванович
Keywords: диагностика люминесценции; гетераструктур; время-разрешенные спектры; желтые полосы; разрушение; luminescence diagnostics; heterostructures; time-resolved spectra; yellow stripes; destruction
Issue Date: 2019
Citation: Ли Ц. Диагностика и контроль светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN - квантовых ям с возбуждением высокоэнергетическим сильноточным электронным пучком : научный доклад / Ц. Ли ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Управление магистратуры, аспирантуры и докторантуры (УМАД), Отдел аспирантуры и докторантуры (ОАиД) ; науч. рук. В. И. Олешко. — Томск, 2019.
Abstract: В работе исследовано 14 светодиодных гетероструктур с InGaN/GaN квантовыми ямами (КЯ) (ГС-1-14) разных производителей и 4 образца GaN с разной плотностью дислокаций, полученные методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире с ориентацией [001] комплексное исследование закономерностей формирования люминесцентных свойств светодиодных гетероструктур с InGaN/GaN квантовыми ямами и разработка физических основ для реализации новых методов катодолюминесцентного контроля наногетероструктур с возбуждением сильноточным электронным пучком.
In this work, 14 LED heterostructures with InGaN / GaN quantum wells (QW) (GS-1-14) from different manufacturers and 4 GaN samples with different dislocation densities obtained by the method of organometallic gas-phase epitaxy on sapphire with [001] orientation were investigated. comprehensive study of the formation patterns of the luminescent properties of LED heterostructures with InGaN / GaN quantum wells and the development of physical bases for the implementation of new methods for cathodoluminescent control of nanoheterostructures with high-current electron beam excitation.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/54205
Appears in Collections:Научные доклады

Files in This Item:
File SizeFormat 
TPU720463.pdf351,42 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.