Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/54611
Title: Влияние ионизирующего излучения на деградационные процессы в светодиодах при их эксплуатации
Authors: Симонова, Анастасия Владимировна
metadata.dc.contributor.advisor: Градобоев, Александр Васильевич
Keywords: светодиоды; надежность; радиационная стойкость; излучение; эксплуатационные факторы; light-emitting diodes; reliability; radiation resistance; AlGaAs; operational factors
Issue Date: 2019
Citation: Симонова А. В. Влияние ионизирующего излучения на деградационные процессы в светодиодах при их эксплуатации : научный доклад / А. В. Симонова ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Управление магистратуры, аспирантуры и докторантуры (УМАД), Отдел аспирантуры и докторантуры (ОАиД) ; науч. рук. А. В. Градобоев. — Томск, 2019.
Abstract: Светодиоды (далее СД) работают в условия воздействия различных видов ионизирующего излучения, что приводит к комбинированному действию факторов ионизирующего излучения и факторов длительной наработки, ограничивающих их работоспособность. Цель работы – исследовать изменение светотехнических и электрофизических характеристик СД при комбинированном действии ионизирующего излучения и эксплуатационных факторов. Объекты исследований – промышленные СД на основе двойных гетеростуктур AlGaAs и на основе гетероструктур AlGaInP. Предварительное облучение гамма-квантами (быстрыми нейтронами) можно использовать в технологии изготовления СД для улучшения их эксплуатационных показателей. Предложенный комплекс радиационных технологий может быть рекомендован и для других типов полупроводниковых приборов.
Light-emitting diodes (LEDs) operate under the influence of various types of ionizing radiation. It leads to the combined action of ionizing radiation and long-term operating factors that limit work efficiency of the LEDs. The purpose of the work is to research the change in the lighting and electrophysical characteristics of the LEDs with the combined action of ionizing radiation and operational factors. The objects of research were industrial LEDs on the basis of AlGaAs double heterostructures and on the basis of AlGaInP heterostructures. Preliminary irradiation with gamma-quanta (fast neutrons) can be used in the technology of manufacturing LEDs to improve their work efficiency. The proposed complex of radiation technologies can be recommended for other types of semiconductor devices.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/54611
Appears in Collections:Научные доклады

Files in This Item:
File SizeFormat 
TPU728812.pdf172,53 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.