Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/54642
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | Шестериков, Евгений Викторович | ru |
dc.contributor.author | Рогожников, Дмитрий Сергеевич | ru |
dc.date.accessioned | 2019-06-11T02:12:18Z | - |
dc.date.available | 2019-06-11T02:12:18Z | - |
dc.date.issued | 2019 | - |
dc.identifier.citation | Рогожников Д. С. Разработка технологии изготовления скрытого мостового соединения проводников в производстве гибридных интегральных схем : магистерская диссертация / Д. С. Рогожников ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Инженерная школа ядерных технологий (ИЯТШ), Научно-образовательный центр Б.П. Вейнберга (НОЦ Б.П. Вейнберга) ; науч. рук. Е. В. Шестериков. — Томск, 2019. | - |
dc.identifier.uri | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/54642 | - |
dc.description.abstract | Разработка технологии изготовления скрытого мостового соединения, в котором вначале формируется перемычка, затем диэлектрический слой с окнами под соединение с проводниками и формирование топологии схемы, в которой проводники соединяются с помощью мостового соединения. | ru |
dc.description.abstract | Development of technology for manufacturing hidden bridge connection. The method based on the following operations: a jumper is formed, and then a dielectric layer with windows for connecting leads and forming a circuit topology in which electrical conductors are connected using a bridge junction. | en |
dc.format.mimetype | application/pdf | - |
dc.language.iso | ru | en |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | - |
dc.subject | мостовое соединение | ru |
dc.subject | контактная фотолитография | ru |
dc.subject | гибридные интегральные схемы | ru |
dc.subject | диоксид кремния | ru |
dc.subject | оксид алюминия | ru |
dc.subject | a bridge connection | en |
dc.subject | contact photolithography | en |
dc.subject | hybrid integrated circuits | en |
dc.subject | silicon dioxide | en |
dc.subject | aluminum oxide | en |
dc.title | Разработка технологии изготовления скрытого мостового соединения проводников в производстве гибридных интегральных схем | ru |
dc.type | Students work | - |
local.department | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)::Инженерная школа ядерных технологий (ИЯТШ)::Научно-образовательный центр Б.П. Вейнберга (НОЦ Б.П. Вейнберга) | - |
local.institut | 7863 | - |
local.localtype | Студенческая работа | - |
dc.subject.oksvnk | 16.04.01 | - |
local.thesis.level | Магистр | ru |
local.thesis.discipline | Техническая физика | - |
local.local-vkr-id | 560274 | - |
local.vkr-id | 38101 | - |
local.stud-group | 0ДМ71 | - |
local.lichnost-id | 162615 | - |
local.thesis.level-id | 3 | - |
local.tutor-lichnost-id | 119598 | - |
dc.subject.udc | 621.382.049.776.002 | - |
Располагается в коллекциях: | Магистерские диссертации |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
TPU729213.pdf | 3,21 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.