Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/54837
Title: Влияние условий осаждения на свойства a-C:H:SiOx пленок
Authors: Елгин, Юрий Игоревич
metadata.dc.contributor.advisor: Юрьева, Алёна Викторовна
Keywords: алмазоподообные; Кремний-углеродные; тонкие пленки; азотирование; износостойкость; diamond-like; nitriding; wear resistance; thin films; carbon
Issue Date: 2019
Citation: Елгин Ю. И. Влияние условий осаждения на свойства a-C:H:SiOx пленок : магистерская диссертация / Ю. И. Елгин ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Инженерная школа ядерных технологий (ИЯТШ), Научно-образовательный центр Б.П. Вейнберга (НОЦ Б.П. Вейнберга) ; науч. рук. А. В. Юрьева. — Томск, 2019.
Abstract: Объектом исследования являются алмазоподобные углеродные покрытия, полученные методом плазмохимического осаждения в смеси Ar/N2 и паров полифенилметилсилосана. Целью работы является комплексное исследование свойств a-C:H:SiOx пленок, формируемых методом плазмохимического осаждения в смеси Ar/N2 и полифенилметилсилосана с приложением к подложке импульсного биполярного напряжения смещения. В результате исследования были получены кремний-углеродные пленки с краевым углом смачивания с водой до 94о. Установлено, что с увеличением расхода азота N2 происходит снижение механических характеристик получаемых пленок (твердость с 16,3 ГПа до 12,5 ГПа; сопротивление пластической деформации с 196 МПа до 110 МПа).
This work is devoted to an integrated study of the a–C:H:SiOx films properties formed by plasma chemical deposition in Ar/N2 and polyphenyl methylsiloxane (PPMS) mixture with pulsed bipolar bias voltage applied to the substrate. In the paper a-C:H:SiOx films with a hardness up to 13 GPa, an elastic modulus not above 113 GPa and a wetting contact angle with water of 80-95 ° were obtained. The results of Raman and FTIR spectroscopy explained the behavior of the obtained mechanical properties due to the change in the ratio of sp2 and sp3 hybridized carbon atoms in the film. Atomic force microscopy made it possible to study the surface morphology of the obtained a-C:H:SiOx films.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/54837
Appears in Collections:Магистерские диссертации

Files in This Item:
File SizeFormat 
TPU735144.pdf1,45 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.