Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/568
Название: Численное моделирование температурных полей силовых транзисторов с учетом разрывов коэффициентов переноса
Авторы: Кузнецов, Гений Владимирович
Белозерцев, А. В.
Ключевые слова: численное моделирование; температурные поля; силовые транзисторы; разрывы; коэффициенты; перенос; двумерные задачи; корпусы; силовые транзисторы; биполярные транзисторы; источники; тепловыделение; мощности; сеточные параметры; вычисления; точность; температура
Дата публикации: 2005
Издатель: Томский политехнический университет
Библиографическое описание: Кузнецов Г. В. Численное моделирование температурных полей силовых транзисторов с учетом разрывов коэффициентов переноса / Г. В. Кузнецов, А. В. Белозерцев // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2005. — Т. 308, № 1. — [С. 150-154].
Аннотация: Численно решена двумерная задача о нестационарном температурном поле в корпусе силового биполярного транзистора с восемью источниками тепловыделения общей мощностью 60 Вт. Исследовано влияние сеточных параметров на точность вычисления температур. Установлено, что при определенных сеточных параметрах возможно достижение очень высокой точности вычислений.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/568
Располагается в коллекциях:Известия ТПУ

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
bulletin_tpu-2005-308-1-32.pdf958,11 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.