Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/6220| Title: | Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук |
| Authors: | Григорьев, Денис Валерьевич |
| metadata.dc.contributor.advisor: | Войцеховский, Александр Васильевич |
| Keywords: | физика; полупроводниковые соединения; эпитаксиальные пленки; радиационные воздействия; высокоэнергетические частицы; ионы; облучение; кристаллы; выращивание; молекулярно-лучевая эпитаксия; ионная имплантация; электрофизические параметры; измерение; электроны; теллурид кадмия ртути; теллурид кадмия цинка; радиационное дефектообразование; моделирование; электрически активные дефекты; накопление; распределение; авторефераты диссертаций |
| Issue Date: | 2005 |
| Citation: | Григорьев Д. В. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Д. В. Григорьев ; Сибирский физико-технический институт при Томском Госуниверситете; науч. рук. А. В. Войцеховский. — Томск, 2005. — 22 с. : ил. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/6220 |
| Appears in Collections: | Авторефераты и диссертации |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| thesis_tpu-2005-31.pdf | 381,46 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.