Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/80810| Title: | Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком |
| Authors: | Ли, Цзысюань |
| metadata.dc.contributor.advisor: | Олешко, Владимир Иванович |
| Keywords: | нитридные соединения; оптоэлектронные приборы; гетероструктуры; светодиодные гетероструктуры; газофазная эпитаксия; металлоорганическая эпитаксия; спектральные характеристики; GaN |
| Issue Date: | 2023 |
| Publisher: | Томский политехнический университет |
| Citation: | Ли, Цзысюань. Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком / Цзысюань Ли ; науч. рук. В. И. Олешко ; Инженерная школа новых производственных технологий НИ ТПУ // Перспективы развития фундаментальных наук — Томск : Изд-во ТПУ, 2023. — Т. 1 : Физика. — С. 243-245. |
| Abstract: | In the present study，we performed the effect of electron beam energy density on the amplitude and spectral characteristics of two LED heterostructures AlGaN/GaN and InGaN/GaN grown by sapphire metal organic vapor epitaxy. The spatial distribution of stimulated cathodoluminescence characteristics on the growth plate surface was studied |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/80810 |
| Appears in Collections: | Материалы конференций |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| conference_tpu-2023-C21_V1_p243-245.pdf | 1 MB | Adobe PDF | View/Open |
This item is licensed under a Creative Commons License
