Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/80843| Title: | Металлизация медью керамических подложек из AlN |
| Authors: | Шихов, Д. С. |
| metadata.dc.contributor.advisor: | Сиделёв, Дмитрий Владимирович |
| Keywords: | силовые полупроводниковые устройства; радиоэлементы; электрические системы; параметры технологии; металлизация медью; керамические платы |
| Issue Date: | 2023 |
| Publisher: | Томский политехнический университет |
| Citation: | Шихов, Д. С. Металлизация медью керамических подложек из AlN / Д. С. Шихов ; науч. рук. Д. В. Сиделёв ; Инженерная школа ядерных технологий НИ ТПУ // Перспективы развития фундаментальных наук — Томск : Изд-во ТПУ, 2023. — Т. 1 : Физика. — С. 396-398. |
| Abstract: | The article considers a method of copper plating of AlN ceramic substrates using the direct bonded copper (DBC) method, which consists in the formation of a eutectic layer between Cu and AlN. The parameters for this technology were examined using two different installations |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/80843 |
| Appears in Collections: | Материалы конференций |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| conference_tpu-2023-C21_V1_p396-398.pdf | 838,04 kB | Adobe PDF | View/Open |
This item is licensed under a Creative Commons License
