Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/47428
Название: Исследование свойств системы титан-водород для структур с дефектами
Авторы: Чжу, Юаньсин
Научный руководитель: Чистякова, Надежда Владимировна
Ключевые слова: моделирование; метод МД; LAMMPS; система титан-водород; дефект; моделирование; метод МД; LAMMPS; система титан-водород; дефект
Дата публикации: 2018
Библиографическое описание: Чжу Ю. Исследование свойств системы титан-водород для структур с дефектами : бакалаврская работа / Ю. Чжу ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Школа базовой инженерной подготовки (ШБИП), Отделение русского языка (ОРЯ) ; науч. рук. Н. В. Чистякова. — Томск, 2018.
Аннотация: Реальные материалы обладают структурными дефектами: вакансиями, дислокациями, границами зерен и др. Важно исследовать влияние дефектов структуры на свойства материалов.Титан и титановые сплавы часто используются в качестве конструкционных материалов, особенно в самолетостроении и космонавтике. Водород может легко проникать в материалы и изменять их свойства, поэтому важно подробно изучить процессы, которые происходят при проникновении водорода в титан и происходящие изменения свойств и структуры титана.
Реальные материалы обладают структурными дефектами: вакансиями, дислокациями, границами зерен и др. Важно исследовать влияние дефектов структуры на свойства материалов.Титан и титановые сплавы часто используются в качестве конструкционных материалов, особенно в самолетостроении и космонавтике. Водород может легко проникать в материалы и изменять их свойства, поэтому важно подробно изучить процессы, которые происходят при проникновении водорода в титан и происходящие изменения свойств и структуры титана.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/47428
Располагается в коллекциях:Выпускные квалификационные работы (ВКР)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
TPU532624.pdf2,43 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.