Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1057
Title: | Развитие предпробивных неустойчивостей в конденсированных диэлектриках |
Authors: | Лопатин, Владимир Васильевич Носков, М. Д. |
Keywords: | предпробивные неустойчивости; конденсированные диэлектрики; открытые системы; инициирование; разрядные каналы; жидкие диэлектрики; твердые диэлектрики; электродинамика; стохастические уравнения; фазовый переход; плазма; энергия; физико-математические модели; моделирование; параметры; характеристики; развивающиеся разряды |
Issue Date: | 2006 |
Publisher: | Томский политехнический университет |
Citation: | Лопатин В. В. Развитие предпробивных неустойчивостей в конденсированных диэлектриках / В. В. Лопатин, М. Д. Носков // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2006. — Т. 309, № 2. — [С. 64-69]. |
Abstract: | В терминах развития неустойчивостей в открытых системах проанализированы существующие представления об инициировании и развитии разрядных каналов в жидких и твердых диэлектриках. Аргументируется подход к количественному описанию развития разрядных каналов на основе законов электродинамики и стохастического уравнения, связывающего вероятность фазового перехода диэлектрик-плазма с накопленной энергией. Приведена физико-математическая модель, позволяющая самосогласованным решением уравнений симулировать развитие разрядных каналов. На примерах результатов моделирования продемонстрированы возможности определения параметров и характеристик развивающегося разряда. |
URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1057 |
Appears in Collections: | Известия Томского политехнического университета. Инжиниринг георесурсов |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
bulletin_tpu-2006-309-2-13.pdf | 610,2 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.