Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/15928
Название: | Контроль параметров омических контактов непосредственно в процессе их отжига |
Авторы: | Дохтуров, Всеволод Всеволодович Смирнов, Серафим Всеволодович Юрченко, Алексей Васильевич Юрченко, Василий Иванович |
Ключевые слова: | омические контакты; параметры; контроль; сопротивление; отжиг |
Дата публикации: | 2012 |
Издатель: | Томский политехнический университет |
Библиографическое описание: | Контроль параметров омических контактов непосредственно в процессе их отжига / В. В. Дохтуров [и др.] // Вестник науки Сибири. — 2012. — № 1 (2). — [С. 109-114]. |
Аннотация: | Проведен анализ процесса отжига омических контактов к полупроводниковым структурам на основе арсенида галлия и его твердых растворов с контролем сопротивления непосредственно в процессе отжига. Приведена эмпирическая формула зависимости приведенного поверхностного сопротивления от температуры. Представлена физическая модель формирования омических контактов. |
URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/15928 |
ISSN: | 2226-0064 |
Располагается в коллекциях: | Векторы благополучия: экономика и социум |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
273.pdf | 979,95 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.