Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3

Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/20767

Title:	Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3
Authors:	Горина, Светлана Геннадьевна Ли Цзысюань Сычева, А. В.
metadata.dc.contributor.advisor:	Олешко, Владимир Иванович
Keywords:	люминесцентная спектроскопия; эпитаксиальные слои; подложки; нитриды; оптоэлектронные устройства
Issue Date:	2014
Publisher:	Изд-во ТПУ
Citation:	Горина С. Г. Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3 / С. Г. Горина, Ли Цзысюань, А. В. Сычева ; науч. рук. В. И. Олешко // Современные техника и технологии : сборник трудов XX международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, Томск, 14-18 апреля 2014 г. : в 3 т. — Томск : Изд-во ТПУ, 2014. — Т. 2. — [С. 103-104].
URI:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/20767
Appears in Collections:	Материалы конференций

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
conference_tpu-2014-C01-V2-050.pdf		215,54 kB	Adobe PDF	View/Open