Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/2185Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Кузнецов, Гений Владимирович | ru |
| dc.contributor.author | Мамонтов, Геннадий Яковлевич | ru |
| dc.contributor.author | Титов, Александр Валерьевич | ru |
| dc.date.accessioned | 2015-11-20T02:51:06Z | - |
| dc.date.available | 2015-11-20T02:51:06Z | - |
| dc.date.issued | 2008 | - |
| dc.identifier.citation | Кузнецов Г. В. Оценка надежности типичного транзистора в условиях окисления металла / Г. В. Кузнецов, Г. Я. Мамонтов, А. В. Титов // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2008. — Т. 312, № 4 : Энергетика. — [С. 135-140]. | ru |
| dc.identifier.uri | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/2185 | - |
| dc.description.abstract | Проведено численное моделирование нестационарного двумерного температурного поля токоведущей дорожки полупроводникового прибора для двух случаев работы типичного силового транзистора: в условиях окисления проводника кислородом воздуха, и без протекания процесса окисления металла. Сопоставлены интенсивности отказов транзистора для этих двух случаев. Показано, что изменение интенсивности отказов в условиях окисления составляет не менее 50 %. Установлено, что при оценке показателей надежности приборов необходимо проводить анализ с учетом процесса окисления металла. | ru |
| dc.format.mimetype | application/pdf | - |
| dc.language.iso | ru | en |
| dc.publisher | Томский политехнический университет | ru |
| dc.relation.ispartof | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. 2008. Т. 312, № 4 : Энергетика | - |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.source | Известия Томского политехнического университета | - |
| dc.subject | транзисторы | - |
| dc.subject | окисление | - |
| dc.subject | металлы | - |
| dc.subject | численное моделирование | - |
| dc.subject | температурные поля | - |
| dc.subject | полупроводниковые приборы | - |
| dc.subject | проводники | - |
| dc.title | Оценка надежности типичного транзистора в условиях окисления металла | ru |
| dc.type | Article | en |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | en |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/article | en |
| dcterms.audience | Researches | en |
| local.description.firstpage | 135 | - |
| local.description.lastpage | 140 | - |
| local.filepath | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2008/v312/i4/30.pdf | - |
| local.identifier.bibrec | RU\TPU\book\187908 | - |
| local.identifier.perskey | RU\TPU\pers\25528 | - |
| local.identifier.perskey | RU\TPU\pers\35352 | - |
| local.identifier.perskey | RU\TPU\pers\29343 | - |
| local.issue | 4 | - |
| local.localtype | Статья | ru |
| local.volume | 312 | - |
| Располагается в коллекциях: | Известия Томского политехнического университета. Инжиниринг георесурсов | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| bulletin_tpu-2008-312-4-30.pdf | 499,32 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.