Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/34837Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Varlachev, Valery Aleksandrovich | en |
| dc.contributor.author | Golovathkiy, Aleksey Vasilievich | en |
| dc.contributor.author | Emets, Evgeny Gennadievich | en |
| dc.contributor.author | Butko, Yana Aleksandrovna | en |
| dc.date.accessioned | 2016-11-30T17:28:02Z | - |
| dc.date.available | 2016-11-30T17:28:02Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | The ability to create NTD silicon technology in the IRT-T reactor in a horizontal experimental channel with one-side access / V. A. Varlachev [et al.] // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. — 2016. — Vol. 135 : Issues of Physics and Technology in Science, Industry and Medicine : VIII International Scientific Conference, 1–3 June 2016, Tomsk, Russia : [proceedings]. — [012047, 5 p.]. | ru |
| dc.identifier.uri | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/34837 | - |
| dc.description.abstract | The article shows the ability of creation of neutron transmutation doping (NTD) of monocrystalline silicon technology in the reactor's channel, which has a one-side access. In the article a distribution of thermal neutron flux through the length of channel and it's radius, neutron spectrum were obtained which confirmed that horizontal experimental channel HEC-1 is suitable for NTD. | en |
| dc.language.iso | en | en |
| dc.publisher | IOP Publishing | ru |
| dc.relation.ispartof | IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. Vol. 135 : Issues of Physics and Technology in Science, Industry and Medicine. — Bristol, 2016. | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | реакторы | ru |
| dc.subject | ИРТ-Т | ru |
| dc.subject | нейтронное легирование | ru |
| dc.subject | монокристаллический кремний | ru |
| dc.subject | тепловые нейтроны | ru |
| dc.title | The ability to create NTD silicon technology in the IRT-T reactor in a horizontal experimental channel with one-side access | en |
| dc.type | Conference Paper | en |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | en |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/conferencePaper | en |
| dcterms.audience | Researches | en |
| local.department | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)::Физико-технический институт (ФТИ)::Лаборатория № 33 ядерного реактора | ru |
| local.description.firstpage | 12047 | - |
| local.filepath | http://dx.doi.org/10.1088/1757-899X/135/1/012047 | - |
| local.identifier.bibrec | RU\TPU\network\15552 | - |
| local.identifier.colkey | RU\TPU\col\19896 | - |
| local.identifier.perskey | RU\TPU\pers\33722 | - |
| local.identifier.perskey | RU\TPU\pers\34300 | - |
| local.identifier.perskey | RU\TPU\pers\33721 | - |
| local.identifier.perskey | RU\TPU\pers\37370 | - |
| local.localtype | Доклад | ru |
| local.volume | 135 | - |
| local.conference.name | Issues of Physics and Technology in Science, Industry and Medicine | - |
| local.conference.date | 2016 | - |
| dc.identifier.doi | 10.1088/1757-899X/135/1/012047 | - |
| Располагается в коллекциях: | Материалы конференций | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| dx.doi.org-10.1088-1757-899X-135-1-012047.pdf | 951,76 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.