Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/41436
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.advisorНикитенков, Николай Николаевичru
dc.contributor.authorИнь Шаньшаньru
dc.contributor.authorПавлов, Сергей Константиновичru
dc.contributor.authorВан Цайлуньru
dc.date.accessioned2017-07-17T22:02:33Z-
dc.date.available2017-07-17T22:02:33Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.citationИнь Шаньшань. Влияние подслоя углерода и титана на электрофизические характеристики пленки нитрида алюминия на кремнии / Инь Шаньшань, С. К. Павлов, Ван Цайлунь ; науч. рук. Н. Н. Никитенков // Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г. : в 7 т. — Томск : Изд-во ТПУ, 2017. — Т. 1 : Физика. — [С. 141-143].ru
dc.identifier.urihttp://earchive.tpu.ru/handle/11683/41436-
dc.description.abstractThe carbon (C) and titanium (Ti) ions were implanted onto the surface of the silicon (Si), and the thin films of aluminum nitride (AlN) were prepared on Si(100) substrate by magnetron sputtering after the implantations. The compositions of these thin film systems were studied by optical microscopy and Raman spectroscopy, and the surface conductivity of those samples were measured. It was indicated that the implanted C and Ti ions did have made a difference to the electro physical properties of the systems AlN/Si.en
dc.language.isoruen
dc.publisherИзд-во ТПУru
dc.relation.ispartofПерспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г. Т. 1 : Физика. — Томск, 2017.ru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen
dc.subjectводородru
dc.subjectполупроводникиru
dc.subjectнитридыru
dc.subjectдетектированиеru
dc.subjectультрафиолетовое излучениеru
dc.titleВлияние подслоя углерода и титана на электрофизические характеристики пленки нитрида алюминия на кремнииru
dc.title.alternativeInfluence of the carbon and the titanium sublayers on the eletrophysical preporties of the thin film system ALN/SIen
dc.typeConference Paperen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferencePaperen
dcterms.audienceResearchesen
local.departmentНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)::Институт физики высоких технологий (ИФВТ)::Лаборатория № 1ru
local.departmentНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)::Физико-технический институт (ФТИ)::Кафедра общей физики (ОФ)ru
local.description.firstpage141-
local.description.lastpage143-
local.filepathconference_tpu-2017-C21_V1_p141-143.pdf-
local.identifier.bibrecRU\TPU\conf\21468-
local.identifier.colkeyRU\TPU\col\19035-
local.identifier.colkeyRU\TPU\col\18734-
local.identifier.perskeyRU\TPU\pers\32608-
local.localtypeДокладru
local.volume1-
local.conference.nameПерспективы развития фундаментальных наук-
local.conference.date2017-
Располагается в коллекциях:Материалы конференций

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
conference_tpu-2017-C21_V1_p141-143.pdf310,84 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.