Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/41436| Название: | Влияние подслоя углерода и титана на электрофизические характеристики пленки нитрида алюминия на кремнии |
| Другие названия: | Influence of the carbon and the titanium sublayers on the eletrophysical preporties of the thin film system ALN/SI |
| Авторы: | Инь Шаньшань Павлов, Сергей Константинович Ван Цайлунь |
| Научный руководитель: | Никитенков, Николай Николаевич |
| Ключевые слова: | водород; полупроводники; нитриды; детектирование; ультрафиолетовое излучение |
| Дата публикации: | 2017 |
| Издатель: | Изд-во ТПУ |
| Библиографическое описание: | Инь Шаньшань. Влияние подслоя углерода и титана на электрофизические характеристики пленки нитрида алюминия на кремнии / Инь Шаньшань, С. К. Павлов, Ван Цайлунь ; науч. рук. Н. Н. Никитенков // Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г. : в 7 т. — Томск : Изд-во ТПУ, 2017. — Т. 1 : Физика. — [С. 141-143]. |
| Аннотация: | The carbon (C) and titanium (Ti) ions were implanted onto the surface of the silicon (Si), and the thin films of aluminum nitride (AlN) were prepared on Si(100) substrate by magnetron sputtering after the implantations. The compositions of these thin film systems were studied by optical microscopy and Raman spectroscopy, and the surface conductivity of those samples were measured. It was indicated that the implanted C and Ti ions did have made a difference to the electro physical properties of the systems AlN/Si. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/41436 |
| Располагается в коллекциях: | Материалы конференций |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| conference_tpu-2017-C21_V1_p141-143.pdf | 310,84 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.