Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/41465| Название: | Влияние параметров источника питания магнетрона на свойства плёнок нитрида кремния |
| Другие названия: | Study on the influence of the magnetron power supply on the properties of the silicon nitride films |
| Авторы: | Петраков, Ю. В. Киселева, Д. В. |
| Научный руководитель: | Юрьев, Юрий Николаевич |
| Ключевые слова: | магнетронное распыление; нитрид кремния; эллипсометрия; спектроскопия; плазмообразующие газы |
| Дата публикации: | 2017 |
| Издатель: | Изд-во ТПУ |
| Библиографическое описание: | Петраков Ю. В. Влияние параметров источника питания магнетрона на свойства плёнок нитрида кремния / Ю. В. Петраков, Д. В. Киселева ; науч. рук. Ю. Н. Юрьев // Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г. : в 7 т. — Томск : Изд-во ТПУ, 2017. — Т. 1 : Физика. — [С. 270-272]. |
| Аннотация: | Silicon nitride (Si3N4) films were deposited by magnetron sputtering of silicon target in (Ar+N2) atmosphere with refractive index 1.95 - 2.05. The results of Fourier transform infrared (FTIR) spectrophotometry showed Si-N bonds in the thin films with concentration 2.41·1023 - 3.48·1023 cm-3. Dependences of deposition rate, optical characteristics and surface morphology on rate of N2 flow and properties of magnetron power supply. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/41465 |
| Располагается в коллекциях: | Материалы конференций |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| conference_tpu-2017-C21_V1_p270-272.pdf | 252,9 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.