Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45346| Title: | Исследование механизмов деградации полупроводниковых гетероструктур на основе нитрида галлия |
| Other Titles: | Investigation of degradation of GaN based semiconductor structures |
| Authors: | Томашевич, А. А. Аржаков, С. Л. Слепцов, К. К. |
| metadata.dc.contributor.advisor: | Еханин, С. Г. |
| Keywords: | электронные ресурсы; полупроводниковые структуры; электромиграционные методы; водород; электроды; деформации |
| Issue Date: | 2017 |
| Publisher: | Изд-во ТПУ |
| Citation: | Томашевич А. А. Исследование механизмов деградации полупроводниковых гетероструктур на основе нитрида галлия / А. А. Томашевич, С. Л. Аржаков, К. К. Слепцов ; науч. рук. С. Г. Еханин // Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г. : в 7 т. — Томск : Изд-во ТПУ, 2017. — Т. 7 : IT-технологии и электроника. — [С. 108-110]. |
| Abstract: | This paper contains mechanical strength analysis for GaN based light emitting diode structure. An evaluation of role of thermoplastic deformation in expansion of defect areas in consideration of new defect formation in the GaN based semiconductor heterostructure is carried out. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45346 |
| Appears in Collections: | Материалы конференций |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| conference_tpu-2017-C21_V7_p108-110.pdf | 208,43 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.