Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45346Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | Еханин, С. Г. | ru |
| dc.contributor.author | Томашевич, А. А. | ru |
| dc.contributor.author | Аржаков, С. Л. | ru |
| dc.contributor.author | Слепцов, К. К. | ru |
| dc.date.accessioned | 2017-12-19T02:42:48Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-19T02:42:48Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | Томашевич А. А. Исследование механизмов деградации полупроводниковых гетероструктур на основе нитрида галлия / А. А. Томашевич, С. Л. Аржаков, К. К. Слепцов ; науч. рук. С. Г. Еханин // Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г. : в 7 т. — Томск : Изд-во ТПУ, 2017. — Т. 7 : IT-технологии и электроника. — [С. 108-110]. | ru |
| dc.identifier.uri | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45346 | - |
| dc.description.abstract | This paper contains mechanical strength analysis for GaN based light emitting diode structure. An evaluation of role of thermoplastic deformation in expansion of defect areas in consideration of new defect formation in the GaN based semiconductor heterostructure is carried out. | en |
| dc.language.iso | ru | en |
| dc.publisher | Изд-во ТПУ | ru |
| dc.relation.ispartof | Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г. Т. 7 : IT-технологии и электроника. — Томск, 2017. | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | электронные ресурсы | ru |
| dc.subject | полупроводниковые структуры | ru |
| dc.subject | электромиграционные методы | ru |
| dc.subject | водород | ru |
| dc.subject | электроды | ru |
| dc.subject | деформации | ru |
| dc.title | Исследование механизмов деградации полупроводниковых гетероструктур на основе нитрида галлия | ru |
| dc.title.alternative | Investigation of degradation of GaN based semiconductor structures | en |
| dc.type | Conference Paper | en |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | en |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/conferencePaper | en |
| dcterms.audience | Researches | en |
| local.description.firstpage | 108 | - |
| local.description.lastpage | 110 | - |
| local.filepath | conference_tpu-2017-C21_V7_p108-110.pdf | - |
| local.identifier.bibrec | RU\TPU\conf\24967 | - |
| local.localtype | Доклад | ru |
| local.volume | 7 | - |
| local.conference.name | Перспективы развития фундаментальных наук | - |
| local.conference.date | 2017 | - |
| Располагается в коллекциях: | Материалы конференций | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| conference_tpu-2017-C21_V7_p108-110.pdf | 208,43 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.