Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45346
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | Еханин, С. Г. | ru |
dc.contributor.author | Томашевич, А. А. | ru |
dc.contributor.author | Аржаков, С. Л. | ru |
dc.contributor.author | Слепцов, К. К. | ru |
dc.date.accessioned | 2017-12-19T02:42:48Z | - |
dc.date.available | 2017-12-19T02:42:48Z | - |
dc.date.issued | 2017 | - |
dc.identifier.citation | Томашевич А. А. Исследование механизмов деградации полупроводниковых гетероструктур на основе нитрида галлия / А. А. Томашевич, С. Л. Аржаков, К. К. Слепцов ; науч. рук. С. Г. Еханин // Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г. : в 7 т. — Томск : Изд-во ТПУ, 2017. — Т. 7 : IT-технологии и электроника. — [С. 108-110]. | ru |
dc.identifier.uri | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45346 | - |
dc.description.abstract | This paper contains mechanical strength analysis for GaN based light emitting diode structure. An evaluation of role of thermoplastic deformation in expansion of defect areas in consideration of new defect formation in the GaN based semiconductor heterostructure is carried out. | en |
dc.language.iso | ru | en |
dc.publisher | Изд-во ТПУ | ru |
dc.relation.ispartof | Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г. Т. 7 : IT-технологии и электроника. — Томск, 2017. | ru |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
dc.subject | электронные ресурсы | ru |
dc.subject | полупроводниковые структуры | ru |
dc.subject | электромиграционные методы | ru |
dc.subject | водород | ru |
dc.subject | электроды | ru |
dc.subject | деформации | ru |
dc.title | Исследование механизмов деградации полупроводниковых гетероструктур на основе нитрида галлия | ru |
dc.title.alternative | Investigation of degradation of GaN based semiconductor structures | en |
dc.type | Conference Paper | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/conferencePaper | en |
dcterms.audience | Researches | en |
local.description.firstpage | 108 | - |
local.description.lastpage | 110 | - |
local.filepath | conference_tpu-2017-C21_V7_p108-110.pdf | - |
local.identifier.bibrec | RU\TPU\conf\24967 | - |
local.localtype | Доклад | ru |
local.volume | 7 | - |
local.conference.name | Перспективы развития фундаментальных наук | - |
local.conference.date | 2017 | - |
Appears in Collections: | Материалы конференций |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
conference_tpu-2017-C21_V7_p108-110.pdf | 208,43 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.