Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45346| Название: | Исследование механизмов деградации полупроводниковых гетероструктур на основе нитрида галлия |
| Другие названия: | Investigation of degradation of GaN based semiconductor structures |
| Авторы: | Томашевич, А. А. Аржаков, С. Л. Слепцов, К. К. |
| Научный руководитель: | Еханин, С. Г. |
| Ключевые слова: | электронные ресурсы; полупроводниковые структуры; электромиграционные методы; водород; электроды; деформации |
| Дата публикации: | 2017 |
| Издатель: | Изд-во ТПУ |
| Библиографическое описание: | Томашевич А. А. Исследование механизмов деградации полупроводниковых гетероструктур на основе нитрида галлия / А. А. Томашевич, С. Л. Аржаков, К. К. Слепцов ; науч. рук. С. Г. Еханин // Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г. : в 7 т. — Томск : Изд-во ТПУ, 2017. — Т. 7 : IT-технологии и электроника. — [С. 108-110]. |
| Аннотация: | This paper contains mechanical strength analysis for GaN based light emitting diode structure. An evaluation of role of thermoplastic deformation in expansion of defect areas in consideration of new defect formation in the GaN based semiconductor heterostructure is carried out. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45346 |
| Располагается в коллекциях: | Материалы конференций |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| conference_tpu-2017-C21_V7_p108-110.pdf | 208,43 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.