Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/48612
Название: Разработка системы измерения статических параметров диодов
Авторы: Ушаков, Александр Сергеевич
Научный руководитель: Заревич, Антон Иванович
Ключевые слова: статические параметры; измерения; постоянное обратноe напряжение; постоянное прямое напряжение; дифференциальное сопротивление; полупроводниковые диоды; постоянный обратный ток; постоянный прямой ток; static parameters; measurements; constant reverse voltage; constant direct tension and direct parallel flow; measurements of differential resistance; crystal diodes; direct reverse current
Дата публикации: 2018
Библиографическое описание: Ушаков А. С. Разработка системы измерения статических параметров диодов : магистерская диссертация / А. С. Ушаков ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Инженерная школа информационных технологий и робототехники (ИШИТР), Отделение автоматизации и робототехники (ОАР) ; науч. рук. А. И. Заревич. — Томск, 2018.
Аннотация: Целью работы является разработка системы измерения статических параметров диодов. В процессе разработки проводился анализ действующих нормативных документов, методов измерения статических параметров полупроводниковых диодов. В результате исследований были разработаны методики измерения статических параметров полупроводниковых диодов, алгоритм программы, программное обеспечение, которое позволило значительно сократить время измерения статических параметров полупроводниковых диодов, эксплуатационная документация.
The purpose of work is development of the system of measurement of static parameters of diodes.In the course of development the analysis of operating normative documents, methods of measurement of static parameters of crystal diodes was carried out.As a result of researches measuring techniques of static parameters of crystal diodes, a program algorithm, the software which allowed to reduce considerably time of measurement of static parameters of crystal diodes, operational documentation were developed.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/48612
Располагается в коллекциях:Магистерские диссертации

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
TPU563261.pdf1,76 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.