Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/48770
Название: Осаждение кремний-углеродных покрытий для оптических применений
Авторы: Ярославцева, Ольга Анатольевна
Научный руководитель: Гренадёров, Александр Сергеевич
Ключевые слова: кремний-углеродные покрытия; ПФМС; несамостоятельный дуговой разряд; пропускная способность; просветляющие покрытия; silicon-carbon coatings; PFMS; non-self-sustaining arc discharge; throughput; antireflection coatings
Дата публикации: 2018
Библиографическое описание: Ярославцева О. А. Осаждение кремний-углеродных покрытий для оптических применений : бакалаврская работа / О. А. Ярославцева ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Инженерная школа ядерных технологий (ИЯТШ), Научно-образовательный центр Б.П. Вейнберга (НОЦ Б.П. Вейнберга) ; науч. рук. А. С. Гренадёров. — Томск, 2018.
Аннотация: Объектом исследования являются кремний-углеродные пленки, полученные из плазмы несамостоятельного дугового разряда с накальным катодом при использовании импульсного биполярного напряжения смещения. Целью работы является изучение влияния амплитуды отрицательного импульса биполярного напряжения смещения и рабочего давления аргона на оптические свойства кремний-углеродных пленок, формируемых методом плазмохимического осаждения в парах полифенилметилсилоксана (ПФМС).
The object of the study are silicon-carbon films obtained from a plasma of a non-self-sustained arc discharge with a filamentary cathode using a pulsed bipolar bias voltage. The work aim is to study the influence of the bipolar bias voltage negative pulse amplitude and the argon working pressure on the optical properties of silicon-carbon films formed by the plasma-chemical deposition method in polyphenylmethylsiloxane (PFMS) pairs.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/48770
Располагается в коллекциях:Выпускные квалификационные работы (ВКР)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
TPU565545.pdf1,39 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.