Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/557
Название: Изучение процесса окисления на поверхности Pt3Ti (510) методом сканирующей туннельной микроскопии
Авторы: Курзина, И. А.
Ключевые слова: процессы; окисление; поверхности; методы; сканирующая туннельная микроскопия; результаты; исследования; элементный состав; структуры; мифология; кристаллы; рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия; дифракция; электроны; энергия; рассеяние; ионы; террасы; атомные слои; атомы; платина; кислород; оксид титана; оксидные слои; изменения
Дата публикации: 2005
Издатель: Томский политехнический университет
Библиографическое описание: Курзина И. А. Изучение процесса окисления на поверхности Pt3Ti (510) методом сканирующей туннельной микроскопии / И. А. Курзина // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2005. — Т. 308, № 1. — [С. 109-113].
Аннотация: Представлены результаты исследования элементного состава, структуры и морфологии поверхности кристалла Pt3Ti (510) методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, дифракции электронов низкой энергии, рассеяния ионов малых энергий и сканирующей туннельной микроскопии. Показано, что чистая поверхность Pt3Ti (510) состоит из множества террас с высотой 3,9 A° и средней шириной 20 A°. Верхний атомный слой поверхности содержит преимущественно атомы платины. Исследован процесс поверхностного окисления кристалла Pt3Ti (510) при давлении кислорода 3•10?4 Па и температуре 773 K. Установлено, что на ранних стадиях окисления на краях террас формируются островки оксида титана (TiO). Дальнейшее окисление приводит к росту оксидного слоя и значительному изменению морфологии поверхности.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/557
Располагается в коллекциях:Известия Томского политехнического университета. Инжиниринг георесурсов

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
bulletin_tpu-2005-308-1-22.pdf1,38 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.