Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/557
Title: | Изучение процесса окисления на поверхности Pt3Ti (510) методом сканирующей туннельной микроскопии |
Authors: | Курзина, И. А. |
Keywords: | процессы; окисление; поверхности; методы; сканирующая туннельная микроскопия; результаты; исследования; элементный состав; структуры; мифология; кристаллы; рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия; дифракция; электроны; энергия; рассеяние; ионы; террасы; атомные слои; атомы; платина; кислород; оксид титана; оксидные слои; изменения |
Issue Date: | 2005 |
Publisher: | Томский политехнический университет |
Citation: | Курзина И. А. Изучение процесса окисления на поверхности Pt3Ti (510) методом сканирующей туннельной микроскопии / И. А. Курзина // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2005. — Т. 308, № 1. — [С. 109-113]. |
Abstract: | Представлены результаты исследования элементного состава, структуры и морфологии поверхности кристалла Pt3Ti (510) методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, дифракции электронов низкой энергии, рассеяния ионов малых энергий и сканирующей туннельной микроскопии. Показано, что чистая поверхность Pt3Ti (510) состоит из множества террас с высотой 3,9 A° и средней шириной 20 A°. Верхний атомный слой поверхности содержит преимущественно атомы платины. Исследован процесс поверхностного окисления кристалла Pt3Ti (510) при давлении кислорода 3•10?4 Па и температуре 773 K. Установлено, что на ранних стадиях окисления на краях террас формируются островки оксида титана (TiO). Дальнейшее окисление приводит к росту оксидного слоя и значительному изменению морфологии поверхности. |
URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/557 |
Appears in Collections: | Известия Томского политехнического университета. Инжиниринг георесурсов |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
bulletin_tpu-2005-308-1-22.pdf | 1,38 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.