Влияние структурных дефектов на сверхвысокочастотные характеристики мощного нитрид – галлиевого транзистора с высокой подвижностью электронов

Abstract

В данной работе проведено исследование влияния структурных дефектов на сверхвысокочастотные характеристики мощного нитрид – галлиевого транзистора с высокой подвижностью электронов (GaN HEMT). Основным инструментом исследования являлось электрофизическое приборное моделирование с последующим сравнением с экспериментальными данными.Приведены результаты теоретических и экспериментальных исследований деградации характеристик модели транзистора и его экспериментальных образцов при наличии дефектов и несовершенств в структуре, в условиях высоких электрических полей и температур. Предложены варианты оптимизации для повышения качества выпускаемой продукции. Получена электрофизическая модель GaN HEMT, описывающая реальное поведение прибора и включающая особенности физических процессов.

In this work, we study the effect of structural defects on the microwave characteristics of high-power nitrides - a gallium transistor with high electron mobility (GaN HEMT). The main research methods were electrophysical instrumental modeling with subsequent comparative comparison with experimental data. The results of theoretical and experimental studies of the degradation of the characteristics of models obtained using experimental and experimental samples in the presence of defects and test results under conditions of high sugar and temperature are presented. Optimization options are proposed to improve the quality of products. An electrophysical GaN HEMT model describing the real device behavior and including features of physical processes.