Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL[2]O[3]

Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/66017

Title:	Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL[2]O[3]
Authors:	Сычева, А. В.
metadata.dc.contributor.advisor:	Олешко, Владимир Иванович
Keywords:	импульсная спектрометрия; люминесцентная спектроскопия; эпитаксиальные слои; подложки; сапфировые подложки
Issue Date:	2014
Publisher:	Томский политехнический университет
Citation:	Сычева А. В. Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL[2]O[3] / А. В. Сычева ; науч. рук. В. И. Олешко // Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых : Сборник научных трудов V Всероссийской конференции студентов элитного технического образования, г. Томск, 25 -27 марта 2014 г. — Томск : Изд-во ТПУ, 2014. — [С. 80-83].
URI:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/66017
Appears in Collections:	Материалы конференций

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
conference_tpu-2014-C08_p80-83.pdf		207,66 kB	Adobe PDF	View/Open