Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/71869
Title: Получение тонкопленочных люминесцентных покрытий методом магнетронного распыления
Authors: Рунц, Артем Алексеевич
metadata.dc.contributor.advisor: Блейхер, Галина Алексеевна
Keywords: электронно-оптический преобразователь; катодолюминесценция; люминофор; высокочастотное магнетронное распыления; иттрий-алюминиевый гранат; electron-optical converter; cathodoluminescence; luminophore; high-frequency magnetron sputtering; yttrium-aluminum garnet
Issue Date: 2022
Citation: Рунц А. А. Получение тонкопленочных люминесцентных покрытий методом магнетронного распыления : магистерская диссертация / А. А. Рунц ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Инженерная школа ядерных технологий (ИЯТШ), Научно-образовательный центр Б.П. Вейнберга (НОЦ Б.П. Вейнберга) ; науч. рук. Г. А. Блейхер. — Томск, 2022.
Abstract: В процессе исследования были изучены структурные, а также физические свойства тонкопленочного люминофора в зависимости от различных параметров осаждения. Был проведен анализ структурных и физических свойств полученных покрытий методом рентгеновской спектроскопии. В результате проделанной работы показано, что скорость осаждение тонкопленочного люминофора увеличивается при повышении потока кислорода, при недостаточном количестве кислорода в адсорбируемом покрытии после отжига формируется нежелательная фаза Al2Y3, препятствующая эффекту люминесценции, процесс отжига приводит к перекристаллизации люминофора, что ведет к увеличению тока люминесценции.
The structural as well as physical properties of the thin-film luminophore depending on different deposition parameters were studied in the course of the study. The structural and physical properties of the obtained coatings were analyzed by X-ray spectroscopy. As a result of this work it was demonstrated that the deposition rate of thin film luminophore increases with increasing oxygen flow, with insufficient oxygen in the adsorbed coating after annealing an undesirable phase Al2Y3 is formed, preventing the effect of luminescence, the annealing process leads to recrystallization of luminophore, which leads to an increase in the luminescence current.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/71869
Appears in Collections:Магистерские диссертации

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
TPU1370822.pdf1,97 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.