Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/76339
Title: Разработка концепции стартапа производства полупроводников
Authors: Горожанкин, Иван Сергеевич
metadata.dc.contributor.advisor: Чистякова, Наталья Олеговна
Keywords: Полупроводник; Коммерциализация; Рынок полупроводников; Карбид кремния; Магнетронное распыление; Semiconductor; Commercialization; Semiconductor market; Silicon carbide; Magnetron sputtering
Issue Date: 2023
Citation: Горожанкин И. С. Разработка концепции стартапа производства полупроводников : дипломный проект / И. С. Горожанкин ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Школа инженерного предпринимательства (ШИП), Бизнес-школа (БШ) ; науч. рук. Н. О. Чистякова. — Томск, 2023.
Abstract: Объектом исследования является – рынок полупроводников. Предметом исследования – производство полупроводниковых пластин. Цель работы – разработка концепции стартапа производства полупроводников. В ходе работы проводились анализ мирового и российского рынка полупроводников, разработка концепции производства карбид-кремниевых полупроводников методом магнетронного распыления.
The object of the study is the semiconductor market. The subject of the research is the production of semiconductor wafers. The aim of the work is to develop the concept of start-up production of semiconductors. In the course of the work, the analysis of the global and Russian semiconductor market was carried out, as well as the development of the concept of production of silicon carbide semiconductors by magnetron sputtering.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/76339
Appears in Collections:Выпускные квалификационные работы (ВКР)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
TPU1469991.pdf1,16 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.