Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/80810
Название: Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком
Авторы: Ли, Цзысюань
Научный руководитель: Олешко, Владимир Иванович
Ключевые слова: нитридные соединения; оптоэлектронные приборы; гетероструктуры; светодиодные гетероструктуры; газофазная эпитаксия; металлоорганическая эпитаксия; спектральные характеристики; GaN
Дата публикации: 2023
Издатель: Томский политехнический университет
Библиографическое описание: Ли, Цзысюань. Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком / Цзысюань Ли ; науч. рук. В. И. Олешко ; Инженерная школа новых производственных технологий НИ ТПУ // Перспективы развития фундаментальных наук — Томск : Изд-во ТПУ, 2023. — Т. 1 : Физика. — С. 243-245.
Аннотация: In the present study,we performed the effect of electron beam energy density on the amplitude and spectral characteristics of two LED heterostructures AlGaN/GaN and InGaN/GaN grown by sapphire metal organic vapor epitaxy. The spatial distribution of stimulated cathodoluminescence characteristics on the growth plate surface was studied
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/80810
Располагается в коллекциях:Материалы конференций

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
conference_tpu-2023-C21_V1_p243-245.pdf1 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Лицензия на ресурс: Лицензия Creative Commons Creative Commons