Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/80810
Название: | Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком |
Авторы: | Ли, Цзысюань |
Научный руководитель: | Олешко, Владимир Иванович |
Ключевые слова: | нитридные соединения; оптоэлектронные приборы; гетероструктуры; светодиодные гетероструктуры; газофазная эпитаксия; металлоорганическая эпитаксия; спектральные характеристики; GaN |
Дата публикации: | 2023 |
Издатель: | Томский политехнический университет |
Библиографическое описание: | Ли, Цзысюань. Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком / Цзысюань Ли ; науч. рук. В. И. Олешко ; Инженерная школа новых производственных технологий НИ ТПУ // Перспективы развития фундаментальных наук — Томск : Изд-во ТПУ, 2023. — Т. 1 : Физика. — С. 243-245. |
Аннотация: | In the present study,we performed the effect of electron beam energy density on the amplitude and spectral characteristics of two LED heterostructures AlGaN/GaN and InGaN/GaN grown by sapphire metal organic vapor epitaxy. The spatial distribution of stimulated cathodoluminescence characteristics on the growth plate surface was studied |
URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/80810 |
Располагается в коллекциях: | Материалы конференций |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
conference_tpu-2023-C21_V1_p243-245.pdf | 1 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Лицензия на ресурс: Лицензия Creative Commons