Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/9044| Title: | Влияние некоторых одно- и двухвалентных примесей на радиационное изменение электропроводности щелочно-галоидных кристаллов |
| Authors: | Игнатьева, М. И. Рощина, Л. И. |
| Issue Date: | 1965 |
| Publisher: | Томский политехнический университет |
| Citation: | Игнатьева М. И. Влияние некоторых одно- и двухвалентных примесей на радиационное изменение электропроводности щелочно-галоидных кристаллов / М. И. Игнатьева, Л. И. Рощина // Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]. — 1965. — Т. 140. — [С. 109-116]. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/9044 |
| Appears in Collections: | Известия Томского политехнического университета. Инжиниринг георесурсов |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| bulletin_tpu-1965-v140-17_bw.pdf | Black-and-white version of the preview | 400,56 kB | Adobe PDF | View/Open |
| bulletin_tpu-1965-v140-17_full.pdf | Color version | 10,06 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.