Релаксация тока в наноразмерных пленках оксида вольфрама (VI)

Abstract

В диапазоне внешних напряжений +-10 В независимо от толщины пленок WO[3] (20…100 нм), времени выдержки образцов в атмосферных условиях (2…180 ч), материала подложки (фторопласт 4, стекло ГОСТ 9284 - 59) на кинетических кривых тока релаксации систем Cu - WO[3] - Cu проявляются три участка: резкое возрастание тока (начальный максимум), участок уменьшения тока и стационарный участок, а также отсутствует запасание энергии в системах Cu - WO[3] - Cu. Обнаружено аномальное увеличение стационарного тока при толщине пленок WO[3] ?35 нм. Установлено влияние материала подложки (стекло, фторопласт 4) на кинетические закономерности тока релаксации в системах Cu - WO[3] - Cu. В результате постпроцессов релаксация систем Cu - WO[3] - Cu на стеклянных носителях завершается через ~48 ч, а на фторопластовых - через ~180 ч.