Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/2045| Title: | Исследование радиационно-фотоэлектрических процессов в примесном кремнии при облучении быстрыми электронами в условиях глубокого охлаждения |
| Authors: | Зыков, Владимир Михайлович Киселёв, А. Н. |
| Keywords: | примесный кремний; фотоэлектрические процессы; облучение; электроны; быстрые электроны; охлаждение; глубокое охлаждение; космическое пространство; фоторезисторы; примесные фоторезисторы; ионизирующее излучение |
| Issue Date: | 2008 |
| Publisher: | Томский политехнический университет |
| Citation: | Зыков В. М. Исследование радиационно-фотоэлектрических процессов в примесном кремнии при облучении быстрыми электронами в условиях глубокого охлаждения / В. М. Зыков, А. Н. Киселёв // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2008. — Т. 312, № 2 : Математика и механика. Физика. Приложение: Неразрушающий контроль и диагностика. — [С. 63-75]. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/2045 |
| ISSN: | 1684-8519 |
| Appears in Collections: | Известия Томского политехнического университета. Инжиниринг георесурсов |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| bulletin_tpu-2008-312-2app-13.pdf | 12,59 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.