Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1124
Title: Природа высокотемпературной радиационно-ускоренной диффузии в щелочно-галоидных кристаллах
Authors: Анненков, Юрий Михайлович
Keywords: высокотемпературная диффузия; радиационно-ускоренная диффузия; щелочно-галоидные кристаллы; теоретический анализ; механизмы; высокотемпературное облучение; радиационная тряска; дивакансионный механизм; ионизирующее облучение
Issue Date: 2006
Publisher: Томский политехнический университет
Citation: Анненков Ю. М. Природа высокотемпературной радиационно-ускоренной диффузии в щелочно-галоидных кристаллах / Ю. М. Анненков // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2006. — Т. 309, № 3. — [С. 46-50].
Abstract: Выполнен теоретический анализ механизмов радиационно-ускоренной диффузии при высокотемпературном облучении щелочно-галоидных кристаллов. Показано, что механизм радиационной тряски и дивакансионный механизм наиболее адекватно описывают экспериментальные результаты по ускорению высокотемпературной диффузии в щелочно-галоидных кристаллах, подверженных интенсивному ионизирующему облучению.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1124
ISSN: 1684-8519
Appears in Collections:Известия ТПУ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
bulletin_tpu-2006-309-3-10.pdf318,12 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.