Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1124
Title: | Природа высокотемпературной радиационно-ускоренной диффузии в щелочно-галоидных кристаллах |
Authors: | Анненков, Юрий Михайлович |
Keywords: | высокотемпературная диффузия; радиационно-ускоренная диффузия; щелочно-галоидные кристаллы; теоретический анализ; механизмы; высокотемпературное облучение; радиационная тряска; дивакансионный механизм; ионизирующее облучение |
Issue Date: | 2006 |
Publisher: | Томский политехнический университет |
Citation: | Анненков Ю. М. Природа высокотемпературной радиационно-ускоренной диффузии в щелочно-галоидных кристаллах / Ю. М. Анненков // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2006. — Т. 309, № 3. — [С. 46-50]. |
Abstract: | Выполнен теоретический анализ механизмов радиационно-ускоренной диффузии при высокотемпературном облучении щелочно-галоидных кристаллов. Показано, что механизм радиационной тряски и дивакансионный механизм наиболее адекватно описывают экспериментальные результаты по ускорению высокотемпературной диффузии в щелочно-галоидных кристаллах, подверженных интенсивному ионизирующему облучению. |
URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1124 |
ISSN: | 1684-8519 |
Appears in Collections: | Известия ТПУ |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
bulletin_tpu-2006-309-3-10.pdf | 318,12 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.