Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/13569
Title: О люкс-вольтовой характеристике конденсаторной фотоэдс в системе Si-SiO2
Authors: Зайдман, С. А.
Курындина, Н. К.
Свирякин, Д. И.
Issue Date: 1975
Publisher: Томский политехнический университет
Citation: Зайдман С. А. О люкс-вольтовой характеристике конденсаторной фотоэдс в системе Si-SiO2 / С. А. Зайдман, Н. К. Курындина, Д. И. Свирякин // Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]. — 1975. — Т. 280 : Неразрушающие методы контроля. — [С. 130-133].
Abstract: В работе исследуется люкс-вольтовая характеристика конденсаторной фотоэдс для системы Si-SiO2. Для сравнения с экспериментом приведены расчетные люкс-вольтовые характеристики для случаев отсутствия и наличия захвата неравновесных носителей на поверхностные состояния. Показано, что захват основных носителей может оказать заметное влияние на форму люкс-вольтовой характеристики. Объясняется наблюдаемое в эксперименте раннее насыщение люкс-вольтовой характеристики.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/13569
Appears in Collections:Известия ТПУ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
bulletin_tpu-1975-v280-31_bw.pdfBlack-and-white version of the preview135,42 kBAdobe PDFView/Open
bulletin_tpu-1975-v280-31_full.pdfColor version3,49 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.