Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/13569
Название: О люкс-вольтовой характеристике конденсаторной фотоэдс в системе Si-SiO2
Авторы: Зайдман, С. А.
Курындина, Н. К.
Свирякин, Д. И.
Дата публикации: 1975
Издатель: Томский политехнический университет
Библиографическое описание: Зайдман С. А. О люкс-вольтовой характеристике конденсаторной фотоэдс в системе Si-SiO2 / С. А. Зайдман, Н. К. Курындина, Д. И. Свирякин // Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]. — 1975. — Т. 280 : Неразрушающие методы контроля. — [С. 130-133].
Аннотация: В работе исследуется люкс-вольтовая характеристика конденсаторной фотоэдс для системы Si-SiO2. Для сравнения с экспериментом приведены расчетные люкс-вольтовые характеристики для случаев отсутствия и наличия захвата неравновесных носителей на поверхностные состояния. Показано, что захват основных носителей может оказать заметное влияние на форму люкс-вольтовой характеристики. Объясняется наблюдаемое в эксперименте раннее насыщение люкс-вольтовой характеристики.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/13569
Располагается в коллекциях:Известия ТПУ

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
bulletin_tpu-1975-v280-31_bw.pdfBlack-and-white version of the preview135,42 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
bulletin_tpu-1975-v280-31_full.pdfColor version3,49 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.