Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/13569| Title: | О люкс-вольтовой характеристике конденсаторной фотоэдс в системе Si-SiO2 |
| Authors: | Зайдман, С. А. Курындина, Н. К. Свирякин, Д. И. |
| Issue Date: | 1975 |
| Publisher: | Томский политехнический университет |
| Citation: | Зайдман С. А. О люкс-вольтовой характеристике конденсаторной фотоэдс в системе Si-SiO2 / С. А. Зайдман, Н. К. Курындина, Д. И. Свирякин // Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]. — 1975. — Т. 280 : Неразрушающие методы контроля. — [С. 130-133]. |
| Abstract: | В работе исследуется люкс-вольтовая характеристика конденсаторной фотоэдс для системы Si-SiO2. Для сравнения с экспериментом приведены расчетные люкс-вольтовые характеристики для случаев отсутствия и наличия захвата неравновесных носителей на поверхностные состояния. Показано, что захват основных носителей может оказать заметное влияние на форму люкс-вольтовой характеристики. Объясняется наблюдаемое в эксперименте раннее насыщение люкс-вольтовой характеристики. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/13569 |
| Appears in Collections: | Известия Томского политехнического университета. Инжиниринг георесурсов |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| bulletin_tpu-1975-v280-31_bw.pdf | Black-and-white version of the preview | 135,42 kB | Adobe PDF | View/Open |
| bulletin_tpu-1975-v280-31_full.pdf | Color version | 3,49 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.