Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1523
Название: Оптимизация предельных режимов стримерного полупроводникового лазера
Авторы: Паращук, В. В.
Русаков, К. И.
Джаббаров, Р. Б.
Ключевые слова: оптимизация; предельные режимы; стримерные лазеры; полупроводниковые лазеры; электрические поля; оптические поля; стримерные разряды; широкозонные полупроводники; спектроскопические свойства; перестройка; люминесцентные характеристики; активные среды; сроки службы; защитные слои; полупроводниковые слои; кристаллографическая ориентация; кристаллический микрорельеф; длина волны; свет; стримерное свечение; соединения
Дата публикации: 2007
Издатель: Томский политехнический университет
Библиографическое описание: Паращук В. В. Оптимизация предельных режимов стримерного полупроводникового лазера / В. В. Паращук, К. И. Русаков, Р. Б. Джаббаров // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2007. — Т. 310, № 1. — [С. 82-86].
Аннотация: Исследовано влияние интенсивных электрического и оптического полей, создаваемых стримерным разрядом в широкозонных полупроводниках, на их спектроскопические свойства. Данный эффект проявляется в возникновении обратимой перестройки люминесцентных характеристик активной среды. Предложены методы существенного повышения срока службы и эффективности стримерного лазера при предельных режимах, основанные на использовании полупроводниковых защитных слоев определенной кристаллографической ориентации и кристаллического микрорельефа с размером элементов порядка длины волны света. Обнаружено и изучено стримерное свечение в новых перспективных соединениях CaGa2S4:Eu, Ca4Ga2S7:Eu.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1523
ISSN: 1684-8519
Располагается в коллекциях:Известия ТПУ

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
bulletin_tpu-2007-310-1-19.pdf327,1 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.