Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/15939
Название: Технологические возможности формирования тонкопленочных гетероструктур на основе алмазоподобных и сегнетоэлектрических материалов
Авторы: Афанасьев, Михаил Сергеевич
Лучников, Петр Александрович
Митягин, Александр Юрьевич
Чучева, Галина Викторовна
Ключевые слова: физика; гетероструктуры; формирование; технологические возможности; алмазоподобные материалы; сегнетоэлектрические материалы; сегнетоэлектрические пленки; алмазоподобные пленки; ВЧ-распыление; высокочастотное распыление
Дата публикации: 2012
Издатель: Томский политехнический университет
Библиографическое описание: Технологические возможности формирования тонкопленочных гетероструктур на основе алмазоподобных и сегнетоэлектрических материалов / М. С. Афанасьев [и др.] // Вестник науки Сибири. — 2012. — № 1 (2). — [С. 115-119].
Аннотация: Исследованы возможности формирования гетероструктур на основе алмазоподобных и сегнетоэлектрических материалов. Определены оптимальные технологические условия формирования структур. Проведен анализ кристаллической структуры и фазового состава алмазоподобных и сегнетоэлектрических пленок. Показано, что формирование двухслойной гетероструктуры с алмазоподобным слоем при температуре подложки выше 700 С перовскитный слой не обладает сегнетоэлектрическими свойствами.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/15939
ISSN: 2226-0064
Располагается в коллекциях:Вестник науки Сибири

Файлы этого ресурса:
Файл РазмерФормат 
284.pdf733,05 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.