Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/17083
Название: Моделирование движения заряженных частиц в транзисторе шоттки с учетом краевых эффектов в месте стыка электрода и изолятора
Авторы: Багутдинов, Равиль Анатольевич
Научный руководитель: Захарова, Алена Александровна
Ключевые слова: моделирование; заряженные частицы; транзисторы; электроды; изоляторы
Дата публикации: 2016
Издатель: Изд-во ТПУ
Библиографическое описание: Багутдинов Р. А. Моделирование движения заряженных частиц в транзисторе шоттки с учетом краевых эффектов в месте стыка электрода и изолятора / Р. А. Багутдинов ; науч. рук. А. А. Захарова // Молодежь и современные информационные технологии : сборник трудов XIII Международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 9-13 ноября 2015 г. : в 2 т. — Томск : Изд-во ТПУ, 2016. — Т. 1. — [С. 81-82].
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/17083
Располагается в коллекциях:Материалы конференций

Файлы этого ресурса:
Файл РазмерФормат 
conference_tpu-2015-C04-v1-032.pdf399,07 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.