Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/17083
Title: Моделирование движения заряженных частиц в транзисторе шоттки с учетом краевых эффектов в месте стыка электрода и изолятора
Authors: Багутдинов, Равиль Анатольевич
metadata.dc.contributor.advisor: Захарова, Алена Александровна
Keywords: моделирование; заряженные частицы; транзисторы; электроды; изоляторы
Issue Date: 2016
Publisher: Изд-во ТПУ
Citation: Багутдинов Р. А. Моделирование движения заряженных частиц в транзисторе шоттки с учетом краевых эффектов в месте стыка электрода и изолятора / Р. А. Багутдинов ; науч. рук. А. А. Захарова // Молодежь и современные информационные технологии : сборник трудов XIII Международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 9-13 ноября 2015 г. : в 2 т. — Томск : Изд-во ТПУ, 2016. — Т. 1. — [С. 81-82].
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/17083
Appears in Collections:Материалы конференций

Files in This Item:
File SizeFormat 
conference_tpu-2015-C04-v1-032.pdf399,07 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.