Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/17083| Title: | Моделирование движения заряженных частиц в транзисторе шоттки с учетом краевых эффектов в месте стыка электрода и изолятора |
| Authors: | Багутдинов, Равиль Анатольевич |
| metadata.dc.contributor.advisor: | Захарова, Алена Александровна |
| Keywords: | моделирование; заряженные частицы; транзисторы; электроды; изоляторы |
| Issue Date: | 2016 |
| Publisher: | Изд-во ТПУ |
| Citation: | Багутдинов Р. А. Моделирование движения заряженных частиц в транзисторе шоттки с учетом краевых эффектов в месте стыка электрода и изолятора / Р. А. Багутдинов ; науч. рук. А. А. Захарова // Молодежь и современные информационные технологии : сборник трудов XIII Международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 9-13 ноября 2015 г. : в 2 т. — Томск : Изд-во ТПУ, 2016. — Т. 1. — [С. 81-82]. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/17083 |
| Appears in Collections: | Материалы конференций |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| conference_tpu-2015-C04-v1-032.pdf | 399,07 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.