Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/19128
Title: | Осаждение барьерных слоев на основе нитрида титана с помощью дуальной МРС |
Authors: | Киселева, Д. В. Михневич, К. С. Юрьев, Юрий Николаевич |
metadata.dc.contributor.advisor: | Юрьев, Юрий Николаевич |
Keywords: | осаждение; барьерные слои; нитрид титана; магнетронные системы; магнетронные распылительные системы; пленки |
Issue Date: | 2015 |
Citation: | Киселева Д. В. Осаждение барьерных слоев на основе нитрида титана с помощью дуальной МРС / Д. В. Киселева, К. С. Михневич, Ю. Н. Юрьев ; науч. рук. Ю. Н. Юрьев // Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XII Международной конференция студентов и молодых ученых, г. Томск, 21-24 апреля 2015 г. — Томск : Изд-во ТПУ, 2015. — [С. 125-127]. |
Abstract: | The titanium nitride (TiN) thin films of polycrystalline structure (110), (200) and (220) with elasticmodulus 153.2…395.7 GPa were obtained by means of magnetron sputtering of titanium cathode in argon andnitrogen. The electrical resistance of the samples is in the range of 0.15 ... 1.24 m[omega]·cm. The effects of phasecomposition, microstructure, morphology and physical-mechanical properties of TiN on d[s-t] and N[2] flow rate arepresented. |
URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/19128 |
Appears in Collections: | Материалы конференций |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
conference_tpu-2015-C21-032.pdf | 201,21 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.