Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/2349
Название: Формирование поверхностного и приповерхностного слоев на полупроводниках типа AIIIBV
Авторы: Мокроусов, Г. М.
Зарубина, Оксана Николаевна
Ключевые слова: поверхностные слои; приповерхностные слои; полупроводники; арсенид галлия; фазовые слои; кристаллические слои; полупроводниковые соединения; электродные потенциалы; водные системы; стехиометрический состав; гомогенность; соединения; химическая обработка; материалы
Дата публикации: 2008
Издатель: Томский политехнический университет
Библиографическое описание: Мокроусов Г. М. Формирование поверхностного и приповерхностного слоев на полупроводниках типа AIIIBV / Г. М. Мокроусов, О. Н. Зарубина // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2008. — Т. 313, № 3: Химия. Физика. — [С. 25-30].
Аннотация: На примере арсенида галлия рассмотрен возможный механизм формирования, состав и строение поверхностного фазового и приповерхностного нарушенного кристаллического слоев полупроводниковых соединений в зависимости от величины электродного потенциала и pH водной системы. На основе учета степени отклонения от стехиометрического состава (области гомогенности) соединения и диффузионных представлений впервые проведена оценка толщины приповерхностного слоя в связи с условиями химической обработки материала.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/2349
ISSN: 1684-8519
Располагается в коллекциях:Известия ТПУ

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
bulletin_tpu-2008-313-3-04.pdf453,19 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.